casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-10ETS12STRL-M3
codice articolo del costruttore | VS-10ETS12STRL-M3 |
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Numero di parte futuro | FT-VS-10ETS12STRL-M3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-10ETS12STRL-M3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 10A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50µA @ 1200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-10ETS12STRL-M3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-10ETS12STRL-M3-FT |
VBT3045BP-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT3080S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT3080S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT3080S-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT4045BP-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT4045BP-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT5200-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT5200-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT5202-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT760-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7A50T-L1CSG325I
Xilinx Inc.
APA600-CGS624M
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-2FGG484
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3DQC
Microchip Technology
A42MX24-PL84M
Microsemi Corporation
AGL250V2-FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-1300C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S40F780C6N
Intel
EPF10K30RC240-3
Intel
EP20K400ERC208-3
Intel