casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-10ETS12S-M3
codice articolo del costruttore | VS-10ETS12S-M3 |
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Numero di parte futuro | FT-VS-10ETS12S-M3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-10ETS12S-M3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 10A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50µA @ 1200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-10ETS12S-M3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-10ETS12S-M3-FT |
VBT3045BP-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT3045BP-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT3045BP-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT3080S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT3080S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT3080S-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT4045BP-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT4045BP-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT5200-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT5200-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
AGL030V2-QNG68I
Microsemi Corporation
LFXP3C-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP20-7FGG676C
Xilinx Inc.
5CGXBC4C7F27C8N
Intel
EP3SL200F1517I4L
Intel
5SGXMA4H3F35I3N
Intel
A40MX02-2PLG44I
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H4F34I3SG
Intel
5AGXBA1D4F31C4N
Intel