casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / VP2206N2
codice articolo del costruttore | VP2206N2 |
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Numero di parte futuro | FT-VP2206N2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VP2206N2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 750mA (Tj) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900 mOhm @ 3.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 10mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 450pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 360mW (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-39 |
Pacchetto / caso | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VP2206N2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VP2206N2-FT |
APT19F100J
Microsemi Corporation
APT10M11JVRU3
Microsemi Corporation
APT39F60J
Microsemi Corporation
APT34M120J
Microsemi Corporation
APT51F50J
Microsemi Corporation
APT53F80J
Microsemi Corporation
APT10021JLL
Microsemi Corporation
APT25M100J
Microsemi Corporation
APT40N60JCU2
Microsemi Corporation
APL1001J
Microsemi Corporation
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel