casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / VP2206N2
codice articolo del costruttore | VP2206N2 |
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Numero di parte futuro | FT-VP2206N2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VP2206N2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 750mA (Tj) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900 mOhm @ 3.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 10mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 450pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 360mW (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-39 |
Pacchetto / caso | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VP2206N2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VP2206N2-FT |
APT19F100J
Microsemi Corporation
APT10M11JVRU3
Microsemi Corporation
APT39F60J
Microsemi Corporation
APT34M120J
Microsemi Corporation
APT51F50J
Microsemi Corporation
APT53F80J
Microsemi Corporation
APT10021JLL
Microsemi Corporation
APT25M100J
Microsemi Corporation
APT40N60JCU2
Microsemi Corporation
APL1001J
Microsemi Corporation
A1020B-2VQ80I
Microsemi Corporation
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
5SGXMB6R2F40I2N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP2AGX125DF25I3N
Intel
XC5VLX110-3FFG1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31I5N
Intel
EP4SGX230HF35I4N
Intel