casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / VP2206N2
codice articolo del costruttore | VP2206N2 |
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Numero di parte futuro | FT-VP2206N2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VP2206N2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 750mA (Tj) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900 mOhm @ 3.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 10mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 450pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 360mW (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-39 |
Pacchetto / caso | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VP2206N2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VP2206N2-FT |
APT19F100J
Microsemi Corporation
APT10M11JVRU3
Microsemi Corporation
APT39F60J
Microsemi Corporation
APT34M120J
Microsemi Corporation
APT51F50J
Microsemi Corporation
APT53F80J
Microsemi Corporation
APT10021JLL
Microsemi Corporation
APT25M100J
Microsemi Corporation
APT40N60JCU2
Microsemi Corporation
APL1001J
Microsemi Corporation
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
A42MX24-2PQ208I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
EP3C10F256I7
Intel
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP2AGX65CU17C4
Intel