casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / APL1001J
codice articolo del costruttore | APL1001J |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-APL1001J |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APL1001J Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 18A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 2.5mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 7200pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 520W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | ISOTOP® |
Pacchetto / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APL1001J Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APL1001J-FT |
APT5010B2FLLG
Microsemi Corporation
APT5010B2LLG
Microsemi Corporation
APT94N65B2C3G
Microsemi Corporation
APT94N65B2C6
Microsemi Corporation
APL602B2G
Microsemi Corporation
APT26F120B2
Microsemi Corporation
APT34F100B2
Microsemi Corporation
APT75F50B2
Microsemi Corporation
APT28M120B2
Microsemi Corporation
APT43M60B2
Microsemi Corporation
LFXP6E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX16-N3FTG256C
Xilinx Inc.
AGLE3000V5-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C7N
Intel
10M50SCE144C8G
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C6
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EPF10K130EQC240-3N
Intel