casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / APL1001J
codice articolo del costruttore | APL1001J |
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Numero di parte futuro | FT-APL1001J |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APL1001J Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 18A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 2.5mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 7200pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 520W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | ISOTOP® |
Pacchetto / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APL1001J Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APL1001J-FT |
APT5010B2FLLG
Microsemi Corporation
APT5010B2LLG
Microsemi Corporation
APT94N65B2C3G
Microsemi Corporation
APT94N65B2C6
Microsemi Corporation
APL602B2G
Microsemi Corporation
APT26F120B2
Microsemi Corporation
APT34F100B2
Microsemi Corporation
APT75F50B2
Microsemi Corporation
APT28M120B2
Microsemi Corporation
APT43M60B2
Microsemi Corporation
XC2VP4-6FGG256C
Xilinx Inc.
XC4052XL-3HQ304C
Xilinx Inc.
XC2V250-6FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A42MX36-PQ208I
Microsemi Corporation
M2GL090TS-1FGG676I
Microsemi Corporation
LFEC10E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100QC208-3N
Intel
EP4SGX180FF35C2XN
Intel
EP1SGX25DF1020C6
Intel