casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / VFT1080C-E3/4W
codice articolo del costruttore | VFT1080C-E3/4W |
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Numero di parte futuro | FT-VFT1080C-E3/4W |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TMBS® |
VFT1080C-E3/4W Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 720mV @ 5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 400µA @ 80V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Pacchetto dispositivo fornitore | ITO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VFT1080C-E3/4W Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VFT1080C-E3/4W-FT |
BAV99-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV99-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV99-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV99-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAW56-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAW56-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAW56-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAW56-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAW56-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAW56-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFE2-6E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S200-5FG256C
Xilinx Inc.
EP4CE15F23C7
Intel
5SGXMA7N3F40I4N
Intel
5SGXEABK2H40C2L
Intel
XC4VFX20-10FFG672I
Xilinx Inc.
LCMXO3L-2100C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP384-CM81TR
Lattice Semiconductor Corporation
EP3CLS70F780C8
Intel
10AX048E2F29I1SG
Intel