casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / BAW56-G3-18
codice articolo del costruttore | BAW56-G3-18 |
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Numero di parte futuro | FT-BAW56-G3-18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAW56-G3-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 70V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 250mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 6ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2.5mA @ 70V |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAW56-G3-18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAW56-G3-18-FT |
FEP30-CP
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEP30AP-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEP30BP-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEP30CP-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEP30FP-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEP30GP-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UG30APT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UG30BPT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UG30CPT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UG30DPT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
EP2C5T144C7
Intel
LCMXO640E-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1400A-5FGG484C
Xilinx Inc.
ICE40UL1K-SWG16ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K05LV-3DQC
Microchip Technology
EP3SL70F484C3N
Intel
EP20K200CF484C7N
Intel
5SGXMABN3F45C2N
Intel
AGL125V2-CS196I
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG100M
Microsemi Corporation