casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / BAW56-HE3-08
codice articolo del costruttore | BAW56-HE3-08 |
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Numero di parte futuro | FT-BAW56-HE3-08 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAW56-HE3-08 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 70V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 250mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 6ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2.5mA @ 70V |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAW56-HE3-08 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAW56-HE3-08-FT |
FEP30AP-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEP30BP-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEP30CP-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEP30FP-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEP30GP-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UG30APT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UG30BPT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UG30CPT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UG30DPT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30100P-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO640C-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-5TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S500E-5FGG320C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FG484I
Microsemi Corporation
AFS600-1FG484K
Microsemi Corporation
A3PN060-Z1VQ100
Microsemi Corporation
5SGXMA4K3F40I3N
Intel
10M08SAU169I7G
Intel
5SGXEB5R2F43I2LN
Intel
EP2S60F1020C3N
Intel