casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / BAV99-HE3-18
codice articolo del costruttore | BAV99-HE3-18 |
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Numero di parte futuro | FT-BAV99-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAV99-HE3-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Series Connection |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 70V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 150mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 6ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2.5µA @ 70V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV99-HE3-18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAV99-HE3-18-FT |
SBL3030PT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
SBL4030PT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
SBL4040PT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD241P-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEP30-CP
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEP30AP-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEP30BP-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEP30CP-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEP30FP-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEP30GP-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
M2GL005S-1VFG256T2
Microsemi Corporation
A54SX32A-1PQG208I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1VF400
Microsemi Corporation
EPF10K130EFC484-3N
Intel
5SGSMD6N2F45C2LN
Intel
5SGXEA7H2F35C1
Intel
XC7K70T-1FB676I
Xilinx Inc.
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-256HC-4MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VBC356-1
Intel