casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / VB20120C-M3/8W
codice articolo del costruttore | VB20120C-M3/8W |
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Numero di parte futuro | FT-VB20120C-M3/8W |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TMBS® |
VB20120C-M3/8W Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 120V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 700µA @ 120V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VB20120C-M3/8W Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VB20120C-M3/8W-FT |
VB60100C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB40100C-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB30200C-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT1045CBP-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB40100C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB2045CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20150C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT6045CBP-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYVB32-50-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT3045CBP-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX02-3VQ80
Microsemi Corporation
LFE2-12SE-7TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC3E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCV1600E-6FG900I
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484I
Microsemi Corporation
AX125-1FG256I
Microsemi Corporation
EP20K400EFI672-3
Intel
EPF10K200EFC672-2
Intel
LFE2-20E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C4F400I7N
Intel