casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / VBT1045CBP-E3/8W
codice articolo del costruttore | VBT1045CBP-E3/8W |
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Numero di parte futuro | FT-VBT1045CBP-E3/8W |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TMBS® |
VBT1045CBP-E3/8W Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 45V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 580mV @ 5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 45V |
Temperatura operativa - Giunzione | 200°C (Max) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VBT1045CBP-E3/8W Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VBT1045CBP-E3/8W-FT |
VT4045CHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT6045CHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VTS40100CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30D202C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10D60CHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10DM100C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10DM100CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10DM150C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10DM150CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10DM45C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC5204-6TQ144C
Xilinx Inc.
A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-2FGG256I
Microsemi Corporation
A3P250-1VQ100
Microsemi Corporation
A42MX09-1VQG100I
Microsemi Corporation
A1020B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC6VSX315T-1FFG1156C
Xilinx Inc.
ICE40LP1K-CM81TR
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100E-6MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA7G4F31C4N
Intel