casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / VB20150C-E3/4W
codice articolo del costruttore | VB20150C-E3/4W |
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Numero di parte futuro | FT-VB20150C-E3/4W |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TMBS® |
VB20150C-E3/4W Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 150µA @ 150V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VB20150C-E3/4W Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VB20150C-E3/4W-FT |
V30D202C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10D60CHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10DM100C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10DM100CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10DM150C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10DM150CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10DM45C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10DM45CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10DM60C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10DM60CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX32-TQG144
Microsemi Corporation
XC5204-6VQ100C
Xilinx Inc.
XC3090-100PQ208C
Xilinx Inc.
EP4CE22F17I7N
Intel
XCV50-6BG256C
Xilinx Inc.
XC2VP4-5FFG672C
Xilinx Inc.
XC7A75T-3CSG324E
Xilinx Inc.
A42MX09-1PQG100M
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000UHC-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C4L
Intel