casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / VB60100C-E3/4W
codice articolo del costruttore | VB60100C-E3/4W |
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Numero di parte futuro | FT-VB60100C-E3/4W |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TMBS® |
VB60100C-E3/4W Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 30A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 790mV @ 30A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 100V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VB60100C-E3/4W Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VB60100C-E3/4W-FT |
VT3060GHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT3080CHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT30L60CHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT4045CHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT6045CHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VTS40100CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30D202C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10D60CHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10DM100C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10DM100CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
EP2C5T144C7
Intel
LCMXO640E-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1400A-5FGG484C
Xilinx Inc.
ICE40UL1K-SWG16ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K05LV-3DQC
Microchip Technology
EP3SL70F484C3N
Intel
EP20K200CF484C7N
Intel
5SGXMABN3F45C2N
Intel
AGL125V2-CS196I
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG100M
Microsemi Corporation