casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / V8PM12HM3_A/I
codice articolo del costruttore | V8PM12HM3_A/I |
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Numero di parte futuro | FT-V8PM12HM3_A/I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® |
V8PM12HM3_A/I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 120V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3.6A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 840mV @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 300µA @ 120V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-277, 3-PowerDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-277A (SMPC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V8PM12HM3_A/I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | V8PM12HM3_A/I-FT |
V10PM12-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10PM12-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10PM12HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10PM12HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10PN50-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
V12P10HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V12P12-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
V12P12-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
V12P12HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V12P15-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
XC3S1400A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC6SLX16-3FT256C
Xilinx Inc.
XC7A200T-1FBG676I
Xilinx Inc.
A54SX08A-PQ208I
Microsemi Corporation
LFE5U-12F-7BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN060-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
XC5VLX220T-1FFG1738C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3M100C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4M13C8N
Intel