casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / V12P12-M3/86A
codice articolo del costruttore | V12P12-M3/86A |
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Numero di parte futuro | FT-V12P12-M3/86A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | eSMP®, TMBS® |
V12P12-M3/86A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 120V |
Corrente: media rettificata (Io) | 12A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 12A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 120V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-277, 3-PowerDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-277A (SMPC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V12P12-M3/86A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | V12P12-M3/86A-FT |
S5PMS-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS10P3-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS10P3-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS10P3HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS10P3HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS10P4-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS10P4HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS10P4HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS10P5-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS10P5-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7S25-1FTGB196C
Xilinx Inc.
APA075-PQ208I
Microsemi Corporation
EP2S60F484I4N
Intel
10M25SAE144C8G
Intel
XC4008E-1PC84C
Xilinx Inc.
XC7VX980T-1FFG1930I
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQG100
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-1300E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40E2SG
Intel
EPF10K30ABC356-4
Intel