casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / V12P15-M3/H
codice articolo del costruttore | V12P15-M3/H |
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Numero di parte futuro | FT-V12P15-M3/H |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | eSMP®, TMBS® |
V12P15-M3/H Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente: media rettificata (Io) | 12A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.08V @ 12A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 250µA @ 150V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-277, 3-PowerDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-277A (SMPC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V12P15-M3/H Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | V12P15-M3/H-FT |
SS10P3HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS10P3HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS10P4-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS10P4HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS10P4HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS10P5-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS10P5-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS10P5HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS10P6HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS10P6HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
EP20K30EFC144-2X
Intel
XC6VCX240T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
A42MX24-PQ160M
Microsemi Corporation
LFEC15E-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-6SE-6FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6F23I7N
Intel
EP2AGX65DF29C6
Intel
EP20K160EQC240-1N
Intel