casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / V12P10HM3_A/I
codice articolo del costruttore | V12P10HM3_A/I |
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Numero di parte futuro | FT-V12P10HM3_A/I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® |
V12P10HM3_A/I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 120V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3.9A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 830mV @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 400µA @ 120V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-277, 3-PowerDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-277A (SMPC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V12P10HM3_A/I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | V12P10HM3_A/I-FT |
S5PMS-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5PMS-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS10P3-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS10P3-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS10P3HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS10P3HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS10P4-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS10P4HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS10P4HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS10P5-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel