casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / US1BHE3_A/H
codice articolo del costruttore | US1BHE3_A/H |
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Numero di parte futuro | FT-US1BHE3_A/H |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
US1BHE3_A/H Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
US1BHE3_A/H Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | US1BHE3_A/H-FT |
S1KHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1M-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1M-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1M-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1MHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SA2B-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SA2B-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SA2B-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SA2D-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SA2D-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4005XL-3PQ100C
Xilinx Inc.
XA3SD1800A-4CSG484Q
Xilinx Inc.
A3PE1500-1FG484I
Microsemi Corporation
A54SX08A-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2S15F484C4
Intel
EP4CE115F23C9L
Intel
EP3SE80F1152C3
Intel
XC2V1500-5BGG575C
Xilinx Inc.
EP2SGX30CF780C5N
Intel
EP4SGX230FF35C4N
Intel