casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SA2D-M3/5AT
codice articolo del costruttore | SA2D-M3/5AT |
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Numero di parte futuro | FT-SA2D-M3/5AT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SA2D-M3/5AT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 2A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 1.5µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 3µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 11pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SA2D-M3/5AT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SA2D-M3/5AT-FT |
BYS10-35-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS10-45-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS10-45-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS11-90-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS11-90-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS11-90-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS12-90-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS12-90-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS12-90-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS12-90-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F484C6N
Intel
EP20K30EFC144-3
Intel
5CGXFC4F6M11C6N
Intel
XC4010XL-3BG256I
Xilinx Inc.
XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-3FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C4
Intel