casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / S1M-M3/5AT
codice articolo del costruttore | S1M-M3/5AT |
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Numero di parte futuro | FT-S1M-M3/5AT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
S1M-M3/5AT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 1.8µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | 12pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S1M-M3/5AT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S1M-M3/5AT-FT |
B360A-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
B360A-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS10-25-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS10-25-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS10-25-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS10-35-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS10-35-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS10-35-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS10-45-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS10-45-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO1200E-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
MPF300TS-1FCG484I
Microsemi Corporation
EP1S20F672C6
Intel
EPF10K100ABI600-2
Intel
EP3C25F256A7N
Intel
5SGXMA4K2F40C1N
Intel
10CL016ZE144I8G
Intel
5AGXMA3D4F27I3N
Intel
A54SX08A-TQG100
Microsemi Corporation
5CGTFD9C5F23I7N
Intel