casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / S1M-M3/61T
codice articolo del costruttore | S1M-M3/61T |
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Numero di parte futuro | FT-S1M-M3/61T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
S1M-M3/61T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 1.8µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | 12pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S1M-M3/61T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S1M-M3/61T-FT |
B360A-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS10-25-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS10-25-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS10-25-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS10-35-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS10-35-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS10-35-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS10-45-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS10-45-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS11-90-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX150-3FGG676C
Xilinx Inc.
XC4003E-2VQ100C
Xilinx Inc.
XC4008E-1PQ208C
Xilinx Inc.
APA750-FG896
Microsemi Corporation
A3P250-PQG208I
Microsemi Corporation
A3P125-1VQG100
Microsemi Corporation
5SGTMC7K3F40C1N
Intel
XC4003E-2PC84I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HC-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HC-6FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation