casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / UP0331200L
codice articolo del costruttore | UP0331200L |
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Numero di parte futuro | FT-UP0331200L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UP0331200L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 22 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | 150MHz, 80MHz |
Potenza - Max | 125mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-665 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SSMini5-F2 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UP0331200L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UP0331200L-FT |
EMF17T2R
Rohm Semiconductor
EMF21T2R
Rohm Semiconductor
EMF22T2R
Rohm Semiconductor
EMF24T2R
Rohm Semiconductor
EMF8T2R
Rohm Semiconductor
EMH15T2R
Rohm Semiconductor
EMG8T2R
Rohm Semiconductor
EMG11T2R
Rohm Semiconductor
EMG5T2R
Rohm Semiconductor
EMA2T2R
Rohm Semiconductor
EP20K100ETC144-1
Intel
XC3S500E-4FG320I
Xilinx Inc.
XC7A75T-1FGG676I
Xilinx Inc.
M1AGL250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP2C5F256C7
Intel
XC7VX485T-3FFG1761E
Xilinx Inc.
AGL400V5-CSG196I
Microsemi Corporation
5AGXFB7H4F35C5N
Intel
EP2AGX260FF35I3
Intel
EP20K300ERC208-2X
Intel