casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / EMA2T2R
codice articolo del costruttore | EMA2T2R |
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Numero di parte futuro | FT-EMA2T2R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EMA2T2R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
Potenza - Max | 150mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-SMD (5 Leads), Flat Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | EMT5 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMA2T2R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EMA2T2R-FT |
RN4901(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4901,LF
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RN4902,LF
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RN4903(T5L,F,T)
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RN4904(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4905T5LFT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4906,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4907(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4908(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4909(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
AGLN030V2-ZQNG68I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC144-1N
Intel
XC7A200T-2FBG676C
Xilinx Inc.
EP4CE15F17C9LN
Intel
5SGXEB6R2F40C2LN
Intel
EP3SL340F1517I3N
Intel
EP4S100G5H40I3N
Intel
LFEC3E-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100BC356-2
Intel
EP1K100QC208-2
Intel