casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / EMF22T2R
codice articolo del costruttore | EMF22T2R |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-EMF22T2R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EMF22T2R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA, 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V, 12V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | 250MHz, 320MHz |
Potenza - Max | 150mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacchetto dispositivo fornitore | EMT6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMF22T2R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EMF22T2R-FT |
RN2905,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2906(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2907(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2908(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2909(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2910(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2911(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4901(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4901,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4902,LF
Toshiba Semiconductor and Storage