casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / UNR211L00L
codice articolo del costruttore | UNR211L00L |
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Numero di parte futuro | FT-UNR211L00L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UNR211L00L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 4.7 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | 80MHz |
Potenza - Max | 200mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | Mini3-G1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UNR211L00L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UNR211L00L-FT |
FJV3106RMTF
ON Semiconductor
FJV3107RMTF
ON Semiconductor
FJV3108RMTF
ON Semiconductor
FJV3109RMTF
ON Semiconductor
FJV3111RMTF
ON Semiconductor
FJV3112RMTF
ON Semiconductor
FJV3115RMTF
ON Semiconductor
FJV4101RMTF
ON Semiconductor
FJV4102RMTF
ON Semiconductor
FJV4103RMTF
ON Semiconductor
XCS30-3TQ144I
Xilinx Inc.
EX256-FTQG100
Microsemi Corporation
XC4003E-2VQ100C
Xilinx Inc.
A54SX16A-FG144
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5SGXMA4K1F35C2LN
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XC7VX980T-1FFG1930C
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XC6VHX565T-1FFG1924I
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10AX066H2F34I2LG
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EP4CE75F29C6N
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EP4SGX230FF35I4
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