casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / FJV3108RMTF
codice articolo del costruttore | FJV3108RMTF |
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Numero di parte futuro | FT-FJV3108RMTF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FJV3108RMTF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 22 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 56 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
Potenza - Max | 200mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 (TO-236) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FJV3108RMTF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FJV3108RMTF-FT |
DRA2144E0L
Panasonic Electronic Components
DRA2144T0L
Panasonic Electronic Components
DRA2144V0L
Panasonic Electronic Components
DRA2144W0L
Panasonic Electronic Components
DRA2514E0L
Panasonic Electronic Components
DRA2522J0L
Panasonic Electronic Components
DRA2523E0L
Panasonic Electronic Components
DRA2533Q0L
Panasonic Electronic Components
DRA2543E0L
Panasonic Electronic Components
DRA2L14Y0L
Panasonic Electronic Components
A3P015-2QNG68
Microsemi Corporation
XA2S100E-6TQ144Q
Xilinx Inc.
LCMXO640C-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P125-2TQG144I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
EP2C35U484I8N
Intel
XCS10-4PC84C
Xilinx Inc.
XA7A15T-2CSG324I
Xilinx Inc.
LFXP3E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel