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ON Semiconductor FJV3112RMTF

Numero parte MFG
FJV3112RMTF
quantità disponibile
42920 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0
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fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
- TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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Numero di parte futuro FT-FJV3112RMTF
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
FJV3112RMTF Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Corrente - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V
Resistor - Base (R1) 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) -
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA
Corrente - Limite del collettore (max) 100nA (ICBO)
Frequenza - Transizione 250MHz
Potenza - Max 200mW
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23-3 (TO-236)
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FJV3112RMTF Peso Contattaci
Numero parte di ricambio FJV3112RMTF-FT

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