casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / UNR211H00L
codice articolo del costruttore | UNR211H00L |
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Numero di parte futuro | FT-UNR211H00L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UNR211H00L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | 150MHz |
Potenza - Max | 200mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | Mini3-G1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UNR211H00L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UNR211H00L-FT |
FJV3103RMTF
ON Semiconductor
FJV3106RMTF
ON Semiconductor
FJV3107RMTF
ON Semiconductor
FJV3108RMTF
ON Semiconductor
FJV3109RMTF
ON Semiconductor
FJV3111RMTF
ON Semiconductor
FJV3112RMTF
ON Semiconductor
FJV3115RMTF
ON Semiconductor
FJV4101RMTF
ON Semiconductor
FJV4102RMTF
ON Semiconductor
LFXP3E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S500E-4FG320I
Xilinx Inc.
XA3S1200E-4FTG256Q
Xilinx Inc.
XCVU065-1FFVC1517I
Xilinx Inc.
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
LFE5UM5G-45F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20B672C6
Intel
5SGXEA9N2F45I2L
Intel
A40MX04-1PLG84I
Microsemi Corporation
LFXP2-17E-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation