casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / UNR211F00L
codice articolo del costruttore | UNR211F00L |
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Numero di parte futuro | FT-UNR211F00L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UNR211F00L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | 150MHz |
Potenza - Max | 200mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | Mini3-G1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UNR211F00L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UNR211F00L-FT |
DTC144TKA-TP
Micro Commercial Co
FJV3103RMTF
ON Semiconductor
FJV3106RMTF
ON Semiconductor
FJV3107RMTF
ON Semiconductor
FJV3108RMTF
ON Semiconductor
FJV3109RMTF
ON Semiconductor
FJV3111RMTF
ON Semiconductor
FJV3112RMTF
ON Semiconductor
FJV3115RMTF
ON Semiconductor
FJV4101RMTF
ON Semiconductor
XC3S100E-4TQ144I
Xilinx Inc.
M2GL010T-VFG400I
Microsemi Corporation
10CL040YF484C6G
Intel
EP4CGX75CF23I7
Intel
5SGXMA5N3F40I4N
Intel
EP4CE10E22C9LN
Intel
XC7VX690T-1FFG1761C
Xilinx Inc.
XC7S6-2CSGA225I
Xilinx Inc.
A42MX24-FPQ160
Microsemi Corporation
AGL060V2-CS121I
Microsemi Corporation