casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / UMH9NTN
codice articolo del costruttore | UMH9NTN |
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Numero di parte futuro | FT-UMH9NTN |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UMH9NTN Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
Potenza - Max | 150mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | UMT6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UMH9NTN Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UMH9NTN-FT |
RN4911(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4984(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4986(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4988(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4989(T5L,F,T)
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RN49A1(T5L,F,T)
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RN2702TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2711(TE85L,F)
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QSH29TR
Rohm Semiconductor
IMB7AT108
Rohm Semiconductor
LCMXO2-2000HE-5TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PE3000L-FG484I
Microsemi Corporation
A54SX32A-1FG256
Microsemi Corporation
5AGXMA3D4F27C5N
Intel
5SGXEABN3F45C2L
Intel
5SGXEA7K2F35I3LN
Intel
EP3SE110F1152I4LN
Intel
LFE2M50E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190FF35C4
Intel
EP1K100QC208-3N
Intel