casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / RN4988(T5L,F,T)
codice articolo del costruttore | RN4988(T5L,F,T) |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-RN4988(T5L,F,T) |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RN4988(T5L,F,T) Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100µA (ICBO) |
Frequenza - Transizione | 250MHz, 200MHz |
Potenza - Max | 200mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | US6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN4988(T5L,F,T) Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RN4988(T5L,F,T)-FT |
RN1701JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1702JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1704JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2709JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2711JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2712JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2713JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1703JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1705JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2701JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
A3P125-1TQ144
Microsemi Corporation
EP20K100ETC144-2N
Intel
XC6SLX100-2FG484C
Xilinx Inc.
LCMXO3L-2100C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
5SEE9H40I2LN
Intel
EP2SGX60EF1152C5N
Intel
XC6VLX195T-L1FF784I
Xilinx Inc.
XC6VLX75T-L1FFG784C
Xilinx Inc.
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
5AGXBB7D4F35C5N
Intel