casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / RN2702TE85LF
codice articolo del costruttore | RN2702TE85LF |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-RN2702TE85LF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RN2702TE85LF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | 200MHz |
Potenza - Max | 200mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 |
Pacchetto dispositivo fornitore | USV |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN2702TE85LF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RN2702TE85LF-FT |
RN2709JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2711JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2712JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2713JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1703JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1705JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2701JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2703JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2704JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2705JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
LFE2-6E-7T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4013E-2PQ208I
Xilinx Inc.
A3PN010-QNG48I
Microsemi Corporation
LFE2M100SE-5FN1152I
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LM4K-SWG25TR50
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-3VQ100
Microsemi Corporation
10M16DCF484I6G
Intel
EP2C5F256I8N
Intel
EP3SL150F1152I4
Intel
XA7A50T-1CSG324I
Xilinx Inc.