casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / IMB7AT108
codice articolo del costruttore | IMB7AT108 |
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Numero di parte futuro | FT-IMB7AT108 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IMB7AT108 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | - |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 300mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-457 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-457 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMB7AT108 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IMB7AT108-FT |
RN2713JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1703JE(TE85L,F)
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RN1705JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2701JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2703JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2704JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2705JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2707JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2708JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2710JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
XC7A35T-2FGG484C
Xilinx Inc.
LIF-MD6000-6KMG80I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EFC672-3
Intel
10M50DCF256I6G
Intel
5SGSMD4K2F40I2L
Intel
5SGXMA5N2F45I3N
Intel
XC2V8000-5FFG1152C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K100ARC240-1N
Intel
EP2OK60EQI208-2X
Intel