casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / UMH11NTN
codice articolo del costruttore | UMH11NTN |
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Numero di parte futuro | FT-UMH11NTN |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UMH11NTN Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
Potenza - Max | 150mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | UMT6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UMH11NTN Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UMH11NTN-FT |
FMG9AT148
Rohm Semiconductor
FMA1AT148
Rohm Semiconductor
FMA2AT148
Rohm Semiconductor
FMA3AT148
Rohm Semiconductor
FMA5AT148
Rohm Semiconductor
FMA9AT148
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FMG1AT148
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FMG4AT148
Rohm Semiconductor
EP1K10TC144-3N
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