casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / FMA3AT148
codice articolo del costruttore | FMA3AT148 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-FMA3AT148 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FMA3AT148 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA (ICBO) |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
Potenza - Max | 300mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-74A, SOT-753 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMT5 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FMA3AT148 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FMA3AT148-FT |
RN2707JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2708JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2710JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1706JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2706JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1509(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1510(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2502(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2506(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2510(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
EX128-PTQ64I
Microsemi Corporation
XC6SLX150T-2FGG676I
Xilinx Inc.
M2GL090-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A54SX32A-1TQG176
Microsemi Corporation
EP4CE6F17I7
Intel
XC6VLX240T-1FFG784C
Xilinx Inc.
XC7K325T-1FF900C
Xilinx Inc.
M2GL060-FGG676
Microsemi Corporation
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
5CEBA5U19C7N
Intel