casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / FMA3AT148
codice articolo del costruttore | FMA3AT148 |
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Numero di parte futuro | FT-FMA3AT148 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FMA3AT148 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA (ICBO) |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
Potenza - Max | 300mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-74A, SOT-753 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMT5 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FMA3AT148 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FMA3AT148-FT |
RN2707JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2708JE(TE85L,F)
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RN2710JE(TE85L,F)
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RN1706JE(TE85L,F)
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RN2706JE(TE85L,F)
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RN1509(TE85L,F)
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RN1510(TE85L,F)
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RN2502(TE85L,F)
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RN2506(TE85L,F)
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RN2510(TE85L,F)
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XC4010E-1BG225C
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A3P030-1VQG100I
Microsemi Corporation
M1AGL250V2-VQ100I
Microsemi Corporation
10CL120ZF484I8G
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10M16DAF484C7G
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5SGSED8K2F40I2N
Intel
5SGXEA3K3F40I4N
Intel
XC7VX690T-3FFG1158E
Xilinx Inc.
XC6SLX4-2CSG225C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-3M132C
Lattice Semiconductor Corporation