casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / FMA2AT148
codice articolo del costruttore | FMA2AT148 |
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Numero di parte futuro | FT-FMA2AT148 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FMA2AT148 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
Potenza - Max | 300mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-74A, SOT-753 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMT5 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FMA2AT148 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FMA2AT148-FT |
RN2705JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2707JE(TE85L,F)
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RN2708JE(TE85L,F)
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RN2710JE(TE85L,F)
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RN1706JE(TE85L,F)
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RN2706JE(TE85L,F)
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RN1509(TE85L,F)
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RN1510(TE85L,F)
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RN2502(TE85L,F)
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RN2506(TE85L,F)
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XC7A35T-2FGG484C
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LIF-MD6000-6KMG80I
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EP20K600EFC672-3
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5SGSMD4K2F40I2L
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5SGXMA5N2F45I3N
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XC2V8000-5FFG1152C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K100ARC240-1N
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EP2OK60EQI208-2X
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