casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / UMC3NT1G
codice articolo del costruttore | UMC3NT1G |
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Numero di parte futuro | FT-UMC3NT1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UMC3NT1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 150mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-88A (SC-70-5/SOT-353) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UMC3NT1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UMC3NT1G-FT |
SMUN5314DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5233DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5311DW1T2G
ON Semiconductor
NSVMUN5332DW1T3G
ON Semiconductor
SMUN5311DW1T3G
ON Semiconductor
MUN5313DW1T1G
ON Semiconductor
NSTB60BDW1T1G
ON Semiconductor
NSVMUN5333DW1T1G
ON Semiconductor
SMUN5233DW1T1G
ON Semiconductor
SMUN5312DW1T1G
ON Semiconductor
LFE2-6E-5T144I
Lattice Semiconductor Corporation
M1A3P600-1FG484
Microsemi Corporation
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
EP4CE75F23C7
Intel
5SEE9H40C4N
Intel
XC4044XL-1HQ208I
Xilinx Inc.
XC4VFX20-10FF672C
Xilinx Inc.
5CGXFC5C6F23I7N
Intel
EP20K160EQC240-2
Intel
EP4SGX230FF35C4N
Intel