casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / SMUN5311DW1T3G
codice articolo del costruttore | SMUN5311DW1T3G |
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Numero di parte futuro | FT-SMUN5311DW1T3G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SMUN5311DW1T3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 187mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-363 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SMUN5311DW1T3G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SMUN5311DW1T3G-FT |
NSBA124XDXV6T1
ON Semiconductor
NSBA143EDXV6T1
ON Semiconductor
NSBA143TDXV6T1
ON Semiconductor
NSBA143ZDXV6T1
ON Semiconductor
NSBA143ZDXV6T5G
ON Semiconductor
NSBA144EDXV6T5
ON Semiconductor
NSBC113EDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC113EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC113EDXV6T5
ON Semiconductor
NSBC113EPDXV6T1
ON Semiconductor
XC4010E-1BG225C
Xilinx Inc.
A3P030-1VQG100I
Microsemi Corporation
M1AGL250V2-VQ100I
Microsemi Corporation
10CL120ZF484I8G
Intel
10M16DAF484C7G
Intel
5SGSED8K2F40I2N
Intel
5SGXEA3K3F40I4N
Intel
XC7VX690T-3FFG1158E
Xilinx Inc.
XC6SLX4-2CSG225C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-3M132C
Lattice Semiconductor Corporation