casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / SMUN5233DW1T1G
codice articolo del costruttore | SMUN5233DW1T1G |
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Numero di parte futuro | FT-SMUN5233DW1T1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SMUN5233DW1T1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 187mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SMUN5233DW1T1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SMUN5233DW1T1G-FT |
NSBA143ZDXV6T5G
ON Semiconductor
NSBA144EDXV6T5
ON Semiconductor
NSBC113EDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC113EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC113EDXV6T5
ON Semiconductor
NSBC113EPDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC114EDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC114EPDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC114TDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC114TDXV6T5
ON Semiconductor
A42MX09-3PQG100
Microsemi Corporation
M2GL025-1VFG256
Microsemi Corporation
EP1K30FC256-2N
Intel
10CX150YF672I5G
Intel
10M04SCE144C7G
Intel
XC5VLX330-2FF1760C
Xilinx Inc.
XA7S25-1CSGA225I
Xilinx Inc.
LFXP2-40E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC15E-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C2
Intel