casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / ULN2003AIDR
codice articolo del costruttore | ULN2003AIDR |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-ULN2003AIDR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ULN2003AIDR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 7 NPN Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 500µA, 350mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 50µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - |
Potenza - Max | - |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 16-SOIC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ULN2003AIDR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ULN2003AIDR-FT |
ULN2803APG,CN
Toshiba Semiconductor and Storage
ULN2805A
STMicroelectronics
MMPQ2907A
ON Semiconductor
MMPQ3904
ON Semiconductor
MMPQ3904 TR13
Central Semiconductor Corp
MMPQ2907A BK
Central Semiconductor Corp
MMPQ6700
ON Semiconductor
ULN2004D1013TR
STMicroelectronics
MMPQ2222A
ON Semiconductor
MMPQ3906
ON Semiconductor
A40MX02-VQG80I
Microsemi Corporation
APA1000-FG896M
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG484I
Microsemi Corporation
M2GL090T-FGG484
Microsemi Corporation
EP1K30FC256-2
Intel
5SGSED8N2F45I2
Intel
EP3SE80F1152C4LN
Intel
XC4VLX60-12FFG1148C
Xilinx Inc.
A3P600L-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation