casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / ULN2803APG,CN
codice articolo del costruttore | ULN2803APG,CN |
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Numero di parte futuro | FT-ULN2803APG,CN |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ULN2803APG,CN Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | 8 NPN Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 500µA, 350mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 350mA, 2V |
Potenza - Max | 1.47W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 18-DIP (0.300", 7.62mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 18-DIP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ULN2803APG,CN Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ULN2803APG,CN-FT |
PBSS4160DSZ
Nexperia USA Inc.
PIMT1,115
Nexperia USA Inc.
PIMZ2,115
Nexperia USA Inc.
PIMZ2,125
Nexperia USA Inc.
PMBTA42DS,125
Nexperia USA Inc.
IMX25T110
Rohm Semiconductor
SHN1B01FDW1T1G
ON Semiconductor
NSM4002MR6T1G
ON Semiconductor
BC807UE6327HTSA1
Infineon Technologies
BC817UPNB6327XT
Infineon Technologies