casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / MMPQ2222A
codice articolo del costruttore | MMPQ2222A |
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Numero di parte futuro | FT-MMPQ2222A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MMPQ2222A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 4 NPN (Quad) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
Potenza - Max | 1W |
Frequenza - Transizione | 300MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 16-SOIC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMPQ2222A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MMPQ2222A-FT |
BC807UE6327HTSA1
Infineon Technologies
BC817UPNB6327XT
Infineon Technologies
BC846UE6327HTSA1
Infineon Technologies
BC846UPNE6327HTSA1
Infineon Technologies
BC856UE6327HTSA1
Infineon Technologies
HN1A01F-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1B01F-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1B01FDW1T1
ON Semiconductor
HN1B04F(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
IMT17T110
Rohm Semiconductor
A1010B-1VQG80I
Microsemi Corporation
AGLN020V5-QNG68
Microsemi Corporation
XC4013E-2BG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-3FG484I
Xilinx Inc.
APA450-FGG256
Microsemi Corporation
5SGXEA7N2F45I2L
Intel
LFE2-50E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HC-6FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX25DF1020C5
Intel
EP20K1000CF33C8
Intel