casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / ULN2004D1013TR
codice articolo del costruttore | ULN2004D1013TR |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-ULN2004D1013TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ULN2004D1013TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 7 NPN Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 500µA, 350mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 50µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 350mA, 2V |
Potenza - Max | - |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 16-SO |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ULN2004D1013TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ULN2004D1013TR-FT |
NSM4002MR6T1G
ON Semiconductor
BC807UE6327HTSA1
Infineon Technologies
BC817UPNB6327XT
Infineon Technologies
BC846UE6327HTSA1
Infineon Technologies
BC846UPNE6327HTSA1
Infineon Technologies
BC856UE6327HTSA1
Infineon Technologies
HN1A01F-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1B01F-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1B01FDW1T1
ON Semiconductor
HN1B04F(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
XC6SLX75-3FGG676I
Xilinx Inc.
A54SX16A-2FG256I
Microsemi Corporation
A54SX72A-1CQ256B
Microsemi Corporation
5SGXEB5R1F40C1N
Intel
EP2AGX65DF25C6NES
Intel
5SEE9F45C4N
Intel
XC6VLX75T-1FFG784I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2BG329I
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD3H1F35C1N
Intel