casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / UGB12JTHE3/45
codice articolo del costruttore | UGB12JTHE3/45 |
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Numero di parte futuro | FT-UGB12JTHE3/45 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UGB12JTHE3/45 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 12A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.75V @ 12A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 30µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UGB12JTHE3/45 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UGB12JTHE3/45-FT |
MBRB1645HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1650-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1650-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1650HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1650HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1660HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1660HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB16H35HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB16H35HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB16H45-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-1200ZE-3TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-4FG320C
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FGG456C
Xilinx Inc.
A1010B-2PL68I
Microsemi Corporation
5SGXMA3K2F40I3N
Intel
5SEEBF45I3N
Intel
5SGXEA5K3F35I3N
Intel
XC4013XL-1BG256I
Xilinx Inc.
XC4VFX60-10FFG1152C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation