casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MBRB16H35HE3/45
codice articolo del costruttore | MBRB16H35HE3/45 |
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Numero di parte futuro | FT-MBRB16H35HE3/45 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
MBRB16H35HE3/45 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 35V |
Corrente: media rettificata (Io) | 16A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 660mV @ 16A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 35V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRB16H35HE3/45 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBRB16H35HE3/45-FT |
FESB8GT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB8GT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB8GTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB8GTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB8HT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB8HTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB8HTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB8JT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB8JT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB8JTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX45-3CSG484C
Xilinx Inc.
XC7A100T-2FTG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-3FGG484I
Xilinx Inc.
MPF300TLS-FCG1152I
Microsemi Corporation
A3P030-1VQG100I
Microsemi Corporation
AT40K05AL-1DQC
Microchip Technology
5SGXEA7K1F40C2LN
Intel
LFE2M70SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100QC208-3
Intel