casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MBRB16H45-E3/81
codice articolo del costruttore | MBRB16H45-E3/81 |
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Numero di parte futuro | FT-MBRB16H45-E3/81 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBRB16H45-E3/81 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 45V |
Corrente: media rettificata (Io) | 16A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 660mV @ 16A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 45V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRB16H45-E3/81 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBRB16H45-E3/81-FT |
FESB8GTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB8GTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB8HT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB8HTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB8HTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB8JT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB8JT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB8JTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB8JTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
GIB1401-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX32A-1TQG144I
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3BQI
Microchip Technology
M2GL025TS-1FCSG325
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3PN010-QNG48I
Microsemi Corporation
A3PE600-FG256I
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQ208I
Microsemi Corporation
10M04SCE144C8G
Intel
5SGXMA9N3F45I3N
Intel
XC5VLX110T-3FFG1738C
Xilinx Inc.