casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MBRB1650-E3/81
codice articolo del costruttore | MBRB1650-E3/81 |
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Numero di parte futuro | FT-MBRB1650-E3/81 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBRB1650-E3/81 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 16A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 750mV @ 16A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRB1650-E3/81 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBRB1650-E3/81-FT |
FESB8DTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB8DTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB8FT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB8FTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB8FTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB8GT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB8GT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB8GTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB8GTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB8HT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
XCKU040-1FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VFG256I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DAF256I6G
Intel
XC7A35T-1CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40I2LG
Intel
EP4CE30F29I7
Intel