casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / TSM8N80CZ C0G
codice articolo del costruttore | TSM8N80CZ C0G |
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Numero di parte futuro | FT-TSM8N80CZ C0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TSM8N80CZ C0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.05 Ohm @ 4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1921pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 40.3W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TSM8N80CZ C0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TSM8N80CZ C0G-FT |
IRFD014
Vishay Siliconix
IRFD110
Vishay Siliconix
IRFD120
Vishay Siliconix
IRFD210
Vishay Siliconix
IRFD220
Vishay Siliconix
IRFD310
Vishay Siliconix
IRFD320
Vishay Siliconix
IRFD420
Vishay Siliconix
IRFD9014
Vishay Siliconix
IRFD9020
Vishay Siliconix
LFXP3C-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V4000-5FF1517I
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG256
Microsemi Corporation
M2GL025TS-VFG256
Microsemi Corporation
EP4CGX30CF23I7
Intel
5SGSED8N3F45I3LN
Intel
5SGXEB5R1F43I2N
Intel
AGL1000V5-FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35C2G
Intel