codice articolo del costruttore | IRFD120 |
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Numero di parte futuro | FT-IRFD120 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IRFD120 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.3A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270 mOhm @ 780mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 360pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.3W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
Pacchetto / caso | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFD120 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRFD120-FT |
TK7A65D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK8A45D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK8A45DA(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK8A50D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK8A50DA(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK8A55DA(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK8A60DA(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK9A45D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK9A55DA(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK9A60D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
XCS20XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-3FG484I
Xilinx Inc.
A42MX36-1PQG240
Microsemi Corporation
A3P1000-2FGG484I
Microsemi Corporation
XC4020E-4HQ208I
Xilinx Inc.
XC7VX690T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX09-TQ176
Microsemi Corporation
M1A3P1000L-FGG144
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230HF35C2
Intel