casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / TSM8N50CH C5G
codice articolo del costruttore | TSM8N50CH C5G |
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Numero di parte futuro | FT-TSM8N50CH C5G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TSM8N50CH C5G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7.2A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 850 mOhm @ 3.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26.6nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1595pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 89W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-251 (IPAK) |
Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TSM8N50CH C5G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TSM8N50CH C5G-FT |
TPN13008NH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPN14006NH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPN1600ANH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPN2R203NC,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPN4R203NC,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPN5900CNH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPN6R003NL,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TPN8R903NL,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6J511NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6J501NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
A54SX32A-TQG176M
Microsemi Corporation
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
APA600-FG676I
Microsemi Corporation
5SGSMD6K1F40C2LN
Intel
EP4SE360H29I3
Intel
5SGXEA7N3F45C2LN
Intel
LFXP2-30E-6FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29I3
Intel
EPF10K10LC84-4N
Intel
EP4SGX360HF35I4
Intel