casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / TPN1600ANH,L1Q
codice articolo del costruttore | TPN1600ANH,L1Q |
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Numero di parte futuro | FT-TPN1600ANH,L1Q |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | U-MOSVIII-H |
TPN1600ANH,L1Q Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 17A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 8.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 200µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1600pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 700mW (Ta), 42W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPN1600ANH,L1Q Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TPN1600ANH,L1Q-FT |
TK12A45D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK12A50D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK12A53D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK12A55D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK12A60D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK13A45D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK13A50D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK13A50DA(STA4,Q,M
Toshiba Semiconductor and Storage
TK13A55DA(STA4,QM)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK13A65U(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
XC3S700A-4FGG400C
Xilinx Inc.
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C5
Intel
5SGSMD5K2F40C2N
Intel
XC5VLX110-3FF1153C
Xilinx Inc.
XC7A100T-1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K100EQC240-1X
Intel
EP20K160EQC208-1
Intel